半導體二極管主要通過PN結進行工作，但與PN結密不可分的點接觸型和肖特基型也屬于通用二極管的范疇，并且這兩種類型的表面配置與PN結構相匹配。到過。晶體二極管分類為：

1.點接觸二極管

點接觸二極管是用電流法將金屬針壓在單片鍺或硅材料上形成的，因此PN結的電容較小，適用于高頻電路。與結型二極管相比，點接觸二極管的正向和反向特性較差，因此不能用于大電流或整流。它們結構簡單，因此價格便宜。它們用于小信號檢測、整流、調制、混頻等.用于限幅等一般用途，該類型應用范圍較廣。

2.關鍵二極管

接合二極管是在鍺或硅的單晶晶片上焊接或形成銀絲而形成的，其特性介于點接觸二極管和合金二極管之間，并且比點接觸二極管具有更高的PN，雖然較小，但結電容很大。雖然略有增加，但前進特性特別好。主要用于開關，但也可用于檢測和電源整流（50mA以下）。在接合二極管中，有時也稱其為熔有金線的二極管。金鍵合型和帶有熔化銀線的二極管有時被稱為銀鍵合型。

3.合金二極管

PN結是在單個N型鍺或硅芯片上合金化銦、鋁等金屬形成的，正向壓降小，電容大，適合整流大電流。因此，它不適合高頻檢測或高頻整流。

4.擴散二極管

將N型鍺或硅單晶晶片在高溫P型雜質氣體中加熱，使單晶晶片的部分表面轉變成P型，形成PN結。 PN結的正向壓降小，適合大電流整流器近年來，大電流整流器的主流已從硅合金型轉向硅擴散型。

5. 臺式二極管

PN結的制造方法與擴散型相同，但只留下PN結及其必要部分，不需要的部分用化學物質腐蝕，其余部分呈臺面狀，故名“我是”。初期生產臺面型是利用半導體材料的擴散方法制作的，所以也稱為擴散臺面型，但是這種類型用于大電流整流的產品型號似乎很少，而且小型開關也很多。是一個產品型號。

6. 平面二極管

PN結是通過將P型雜質擴散到半導體單晶晶片（主要是N型硅單晶晶片）上，利用其屏蔽效應選擇性地僅擴散一部分N型硅單晶而形成的晶圓.形式.由于硅片表面形成一層氧化膜，不需要化學腐蝕來調整PN結，半導體表面變得平坦，因而得名。此外，PN結表面覆蓋有氧化物。有人說。最初，半導體材料是采用外延方法形成的，因此平面型也稱為外延平面型。大電流整流的型號只有少數(shù)，使用較小的，電流開關的型號很多。

7.合金擴散二極管

它是合金的一種，而合金材料是容易擴散的材料，即使材料很難制作，通過巧妙地混合雜質，也可以與合金一起過度擴散，而已經(jīng)形成的PN中的雜質可以過度擴散，平衡就會正確。適合制造結型、濃度分布、靈敏度高的變容二極管。

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8、外延二極管

這種二極管是通過長外延工藝形成PN結而形成的，需要極其先進的技術來制造，但由于可以自由控制雜質濃度分布，因此適合制造高靈敏度的變容二極管。

9.肖特基二極管

:的基本原理是利用金屬（如鉛）與半導體（N型硅片）接觸面形成的肖特基來阻擋反向電壓，肖特基與PN結的整流原理為用過，很基本。雖然它的耐壓只有40V左右，但它具有極快的開關速度和特別短的反向恢復時間（trr），使得制造開關二極管和低電壓、大電流的整流二極管成為可能。

2、按用途分類

1. 檢測二極管

原則上，從輸入信號中提取調制信號的過程稱為檢測，但以整流電流（100mA）的大小為界限，通常小于100mA的輸出電流稱為檢測。 鍺材料點接觸型，工作頻率高達200mA。 400MHz，正向壓降低，結電容小，檢測效率高，頻率特性好2AP型檢測用的二極管與點接觸型相同它不僅用于檢測，還用于限幅、削波，有兩個二極管組件具有良好的特性一致性，可用于調制、混頻、開關等電路，特別是調頻檢測。

2、整流二極管

原則上，由輸入交流得到直流輸出稱為整流，以整流電流的大�。�100mA）為界，輸出電流超過100mA通常稱為整流。表面結型，工作頻率為KHz以下，最大反向電壓從25伏到3000伏，從A到3000伏有22個等級。

3、限流二極管

大多數(shù)二極管都可以用作幅度限制，但也有專門的限幅二極管，例如在保護設備和高頻齊納管中，它們通常由硅材料制成，使其在限制突變幅度方面特別有效。根據(jù)限壓要求，將幾個必要的整流二極管串聯(lián)起來形成一個整體。

4. 調制二極管

通常指專用于環(huán)形調制的二極管。它是由四個具有良好正向特性的二極管組合而成。其他變容二極管也可用于調制，但它們通常直接用于頻率調制。

5. 混頻二極管

對于混合二極管系統(tǒng)，肖特基和點接觸二極管通常用于500 至10,000Hz 的頻率范圍。

6. 放大二極管

一般來說，使用二極管的放大包括使用隧道二極管、體效應二極管等負阻元件的放大和使用變容二極管的參量放大。當我們說放大二極管時，我們指的是隧道二極管、體效應二極管和變容二極管。事物。

7. 開關二極管

開關二極管有兩種類型：一種用于小電流（約10mA）邏輯計算中使用的磁芯激勵，一種用于數(shù)百毫安時使用的磁芯激勵。小電流用開關二極管包括接觸型和按鍵型二極管。雖然很常見，但還有其他二極管。這些二極管甚至可以在高溫下使用。硅擴散二極管、臺面二極管和平面二極管都可以工作。開關二極管的特點是開關速度快。肖特基二極管的開關時間極短，非常適合開關。2AK 型是一個點接觸器，用于中速開關電路；2CK型扁平接觸器用于高速開關電路；用于開關、限流、鉗位或傳感電路；肖特基（SBD）硅大電流開關，正向低方向壓降，高速和高效率。

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8.變容二極管

用于自動頻率控制（AFC）和調諧的低功率二極管稱為變容二極管，日本制造商對它們有不同的名稱。它用于自動頻率控制，因為施加反向電壓會改變PN 結的電容。通常使用硅擴散二極管，但也可以使用合金擴散二極管、外延結二極管和雙擴散二極管等專用二極管。一般情況下，電容變化率特別大，結電容因反向電壓VR而變化，代替可變電容器用作調諧環(huán)路、振蕩電路或鎖相環(huán)路。常用于電視調諧器中進行頻道轉換和調諧，調諧電路主要由硅材料制成。

9.倍頻二極管

二極管的倍頻作用包括變容二極管倍頻和階躍（突變）二極管倍頻。用于倍頻的變容二極管稱為可變電抗器、可變電抗器。其工作原理與用于自動頻率控制的變容二極管相同，電抗器的結構可承受高功率，階躍二極管也稱為階躍恢復二極管，在trr 從導通到截止時提供反向恢復。是短。當正弦波施加到階躍二極管時，由于tt（過渡時間）短，輸出波形突然夾斷，因此其特點是過渡時間非常短，并且快速關斷。產生高頻諧波。

10. 齊納二極管

它是穩(wěn)壓電子二極管的替代品，由硅擴散型或合金型制成，是一種反向擊穿特性曲線突變的二極管，用作控制電壓或作為標準二極管工作時的端電壓（也稱為齊納電壓）分為多級，從約3V到150V，以10%為增量，有功率從200mW到100W的產品。工作在反向擊穿狀態(tài)，由硅制成材料、動態(tài)電阻。器件RZ很小，通常為2CW型，但如果將兩個互補二極管反向串聯(lián)以降低溫度系數(shù)，則變?yōu)?DW型。

11.PIN二極管（PIN二極管）

在P區(qū)和N區(qū)之間夾入本征半導體（或雜質濃度較低的半導體）而構成的晶體二極管。PIN中的I在英文中代表“本征”，當工作頻率超過At時，由于由于少數(shù)載流子的積累效應和“本征”層的渡越時間效應，二極管失去整流作用，成為阻抗元件，其阻抗值隨偏置電壓的變化而變化。在零偏壓或直流反向偏壓下，“本征”區(qū)域的阻抗非常高。在直流正向偏壓下，載流子注入“本征”區(qū)域使其成為特征區(qū)域并表現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。 PIN二極管可作為可變阻抗元件，常用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制和限幅等電路中。

12.雪崩二極管

這是一種在外部電壓作用下能產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒氏的：利用雪崩擊穿向晶體中注入載流子。由于需要一定的時間，當載流子通過晶圓時，電流滯后于電壓，產生延遲時間，但如果控制得當，電流與電壓的關系會出現(xiàn)負阻效應.出現(xiàn)高頻振蕩。常用于微波領域的振蕩電路。

13. 隧道二極管

它是一種主要電流成分為隧道電流的晶體二極管。基體材料為砷化鎵和鍺，P型和N型區(qū)為高摻雜（即雜質濃度高）。為了產生由平行半導體的量子力學效應決定的隧道效應，必須滿足以下三個條件： 費米能級位于導帶和整個能帶內， 層的寬度空間電荷必須很窄（小于0.01微米）；簡并半導體P型和N型區(qū)域中的空穴和電子可以在同一能級重疊。 - 終端有源設備。其主要參數(shù)是峰谷電流比（IP/PV），其中下標“P”代表“峰值”，下標“V”代表“”。江崎二極管可用于低噪聲高頻放大器和高頻振蕩器（工作頻率達到毫米波段），也可用于高速開關電路。

14.快速關斷（階躍恢復二極管）

:也是帶有PN結的二極管，其結構特點是在PN結的邊界處有陡峭的雜質分布區(qū)域，產生“自救電場”。由于PN結正向偏置，少數(shù)載流子導電，PN結附近有電荷存儲效應，因此反向電流減小到最小值（反向飽和電流值），必須經(jīng)過“積累時間”。二極管“自助電場”減少存儲時間，快速阻斷反向電流，并產生豐富的諧波含量�？梢允褂眠@些諧波分量來設計梳狀頻譜生成電路。使用快速關斷（階躍恢復）二極管。在脈沖和高次諧波電路中。

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15.肖特基勢壘二極管

是一種具有肖特基特性的“金屬-半導體結”二極管，正向激活電壓較低，金屬層也可采用金、鉬、鎳、鈦等材料，半導體材料為硅或砷化鎵這種二極管采用多數(shù)載流子，反向飽和電流比少數(shù)載流子傳導的PN結大得多。二極管中少數(shù)載流子肖特基積累的影響非常大。由于尺寸小，它們的頻率響應僅受RC 時間常數(shù)的限制，這使得它們成為高頻和快速開關的理想器件。工作頻率達到100GHz。此外，MIS（金屬-絕緣體-半導體）肖特基二極管還用于生產太陽能電池和發(fā)光二極管。

16. 阻尼二極管

反向工作電壓和峰值電流高，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用于電視行掃描電路中作阻尼和升壓整流。

17.瞬態(tài)電壓抑制二極管

TVP管為電路提供快速過壓保護，根據(jù)峰值功率（500W至5000W）和電壓（8.2V至200V）分為雙極型和單極型。

18.雙基極二極管（單結晶體管）

2基極1發(fā)射極的三端負阻元件用于張弛振蕩電路和定時電壓讀出電路，具有頻率調節(jié)方便、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。

19. 發(fā)光二極管

采用磷化鎵、砷化鎵磷材料，體積小，正向驅動，工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻，壽命長，紅、黃、綠單色，可發(fā)光。光。

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3、按特性分類

點接觸二極管根據(jù)其正向和反向特性分為以下幾類。

1、常用的點接觸二極管

正如標題所示，這類二極管常用于檢測電路和整流電路中，是一種正向或反向特性既不好也不壞的中間產品，SD34、SD46、1N34A等都屬于這一類。

2.高反向電壓點接觸二極管

該產品具有較高的最大反向峰值電壓和最大直流反向電壓，用于高壓電路中的檢測和整流，但該類型二極管的正向特性一般較差或一般。點接觸型鍺二極管有SD38、1N38A、OA81等。采用鍺材料制成的二極管耐壓有限，如果要求較高，也可采用硅合金型和擴散型。

3、高反向電阻點接觸二極管

正向耐壓特性與一般二極管相似，反向耐壓也特別高，但由于反向電流較小，因此具有較高的反向耐壓能力，用于高輸入電阻的電路和高壓電路中。在這些用鍺材料制成的高反向電阻二極管中，SD54、1N54A等就屬于此類二極管。

4. 高導率點接觸二極管

與高反向電阻型相反，反向特性非常差，但正向電阻足夠小。這種類型的二極管具有較高的整流效率，特別是在負載電阻較低時。